パワーデバイス の求人・仕事・採用

仕事内容【応募資格】 [必須] ■半導体に関する知識を有すること ■半導体デバイスの設計、評価、プロセスインテグレーション、プロセス加工技術の開発経験 （研究開発、量産経験は問いません） [歓迎] ■パワー半導体に関する知識を有すること ■半導体デバイス設計、プロセスインテグレーション、プロセス加工技術の開発経験（3年以上） ■プロジェクトマネージャ、リーダまたはサブリーダの経験者 【フィットする人物像】 応募資格をご覧下さい 【職種名】 電動車向けインバータ用パワー半導体のデバイスおよびプロセス研（年収600万円～1250万円） 【仕事内容】 国内最大、世界でも有数の自動車用システムサプライ

仕事内容【職種】半導体＞半導体設計 【業種】メーカー＞半導体 ※会員属性などに応じ、当該求人をビズリーチ上で閲覧された際に内容が異なる場合があります ■仕事内容 化合物半導体を用いたパワーデバイスの設計・開発業務をお任せいたします。 入社後はご希望に応じて開発工程の他ポジションに挑戦いただくことも可能です。 ※本ポジションは即戦力となる方の募集です。 ＜具体的な業務内容の例＞ ・SiC/GaNパワーデバイス（MOSFET、SBDなど）の構造設計・シミュレーション ・TCADを活用したデバイスパフォーマンスの最適化 ・試作～特性評価（電気的・熱的） ・顧客要求仕様の分析と製品スペック設計 ・量産移

仕事内容【仕事内容】 パワーデバイスは電力の変換・制御を行う製品です。 具体的には、下記のいずれかの工程でのお仕事となります。 ・精密部分の製造オペレーター →ベース板にチップを自動で半田付けするするために、機械にセットしてボタン押します。 ・検査及びテスト →製品が正常に作動するか等の検査をして頂きます。 扱う部品は手のひらサイズのものが中心です。 どの工程も丁寧に指導しますので、未経験からでも作業を習熟することができます。 入社してから最初の2週間は研修があり、工程に配属後も先輩が横について丁寧に教えますので、 わからないことがあればお気軽にご質問ください。 人気のお仕事のため募集枠に限

仕事内容【職種】半導体＞半導体設計 【業種】メーカー＞半導体 ※会員属性などに応じ、当該求人をビズリーチ上で閲覧された際に内容が異なる場合があります ■仕事内容 化合物半導体を用いたパワーデバイスの設計・開発業務をお任せいたします。 入社後はご希望に応じて開発工程の他ポジションに挑戦いただくことも可能です。 ＜具体的な業務内容の例＞ ・SiC/GaNパワーデバイス（MOSFET、SBDなど）の構造設計・シミュレーション ・TCADを活用したデバイスパフォーマンスの最適化 ・試作～特性評価（電気的・熱的） ・顧客要求仕様の分析と製品スペック設計 ・量産移管に向けたプロセス部門との連携および最適化支

仕事内容【応募資格】 [必須] 【求める経験・スキル】※以下いずれか必須 ・ワイドギャップ半導体デバイスの知見/研究開発経験 ・パワー半導体デバイスのパッケージングの知見/研究開発経験 【上記に加えて歓迎する経験・スキル】 ・インバータの知見/研究開発経験 ・デバイスのプロセス経験をお持ちの方 ・高周波デバイスの開発経験をお持ちの方 【求める人物像】 ・Hondaフィロソフィーに共感いただける方 ・研究開発において、高い主体性とリーダーシップを発揮できる方 ・夢を持ち、高い目標を掲げてやりきるエネルギーのある方 ・自分の考えを発信し、周囲を巻き込んで課題解決の最良手段を見出せる方 【職種名】 【1

勤務時間【時間】09:00 ～ 18:00（休憩60分） 【残業】5時間程度

勤務時間[1]08:00～16:45 [2]20:00～04:45 ※22時～5時は深夜勤務のため18歳以上の方に限ります。 ※休憩は法定通り

仕事内容【仕事内容】 ディスクリート半導体（パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー）に関する開発業務に携わっていただきます。 【具体的には】 ・デバイス設計・シミュレーション(TCAD) ・試作・性能評価・解析 ・量産立上業務 【加賀分室の対象デバイス】 ・IGBT、ダイオード、パワーモジュール ・パワーMOSFET 【給与詳細】 【年収】 450～1000万円 基本給：210,000円～550,000円 賞与：年2回（7月、12月） ※エキスパート級での採用（年収1,000万円）については管理監督者にあたるため、住宅手当、次世代育

勤務時間▼勤務時間 08:30~17:30 ▼勤務時間詳細 08:30〜17:30 実働8時間 休憩60分 残業は10〜40(時間/月)です。

仕事内容株式会社BREXA Technology 【大阪・守口市】パワーデバイスの装置を使用した評価業務◆残業月20h／年休123日 【仕事内容】 【大阪・守口市】パワーデバイスの装置を使用した評価業務◆残業月20h／年休123日 【具体的な仕事内容】 【大手エンジニアリング会社／人材育成に積極投資／福利厚生充実／産休育休取得率100％／Web面接可／年間休日123日／有休取得率90％】 パワーデバイスの装置を使用した評価業務をお任せします。 ・GaNパワーデバイスのプロセス業務 ・GaNパワーデバイスの装置を使用した電気的特性評価、資料作成 ■働き方： ・想定エリア：勤務地の記載先 ・研修

仕事内容【職種】機械＞生産技術 【業種】メーカー＞自動車・自動車部品 ※会員属性などに応じ、当該求人をビズリーチ上で閲覧された際に内容が異なる場合があります ■配属組織（概要・ミッション） ＜配属組織＞ 電動ビジネス事業部 xEVビジネスユニット パワーエレクトロニクス製品本部 インバータ生産技術部 佐和第二生産技術課/佐和第三生産技術課 ＜組織のミッション＞ xEVビジネスユニットでは、世界中の自動車メーカーに向けて、最先端の電動パワートレイン製品（EV・HEV用モータ、インバータ、パワーモジュール）を提供しています。その中でインバータ生産技術部では、インバータ製品の「低コスト・高性能・高品質

仕事内容【応募資格】 [必須] 【必須要件】 GaNパワー半導体デバイスの設計、開発、製造に関し以下の経験がある方。 1．GaNパワー半導体（HEMT、SBD等）のデバイス開発・設計 ・デバイスシミュレーター（Synopsis Sentaurusなど）を使用し特性要件を満たすデバイス構造（＊）を設計 ＊コラプス対策の電界緩和構造、I-V、C-V目標特性実現、応力解析、熱設計、等 ・実測相関検証、シミュレーション条件設定など、開発目的に適合した環境設定ができることが望ましい ２．GaNパワー半導体（HEMT、SBD等）の製品開発・設計 ・半導体チップ設計：目標設計仕様を実現するレイアウト構造、設計仕

仕事内容【仕事内容】 MOSFETやIGBT等のSiパワー半導体デバイスのユニットプロセス（成膜プロセス、リソグラフィ、ドライエッチング/ウェットエッチング、イオン注入など）の開発をお任せします。 【具体的には】 ・パワーデバイスのプロセス開発 ・パワーデバイスの装置開発 ※各工程毎にチーム編成してそれぞれのプロセスで専門家集団を形成して業務を進めています。 ※各チームでリーダーシップを発揮して開発を牽引していただける人財を求めており、お任せする工程はこれまでのご経験をお伺いしたうえでご相談いたします。 【給与詳細】 【年収】 450～1000万円 基本給：210,000円～550,000円

仕事内容【仕事内容】 パワーデバイスは電力の変換・制御を行う製品です。 具体的には、下記のいずれかの工程でのお仕事となります。 ・精密部分の製造オペレーター →ベース板にチップを自動で半田付けするするために、機械にセットしてボタン押します。 ・検査及びテスト →製品が正常に作動するか等の検査をして頂きます。 扱う部品は手のひらサイズのものが中心です。 どの工程も丁寧に指導しますので、未経験からでも作業を習熟することができます。 入社してから最初の2週間は研修があり、工程に配属後も先輩が横について丁寧に教えますので、 わからないことがあればお気軽にご質問ください。 人気のお仕事のため募集枠に限

仕事内容【応募資格】 [必須] ・半導体素子の設計および開発経験または知識をお持ちの方 ※パワー半導体の経験有無は問いません [歓迎] 以下いずれかのご経験をお持ちの方 ・パワー半導体に関する知識をお持ちの方 ・半導体素子の設計および開発経験（目安：3年以上）をお持ちの方 ・プロジェクトマネージャーまたはプロジェクトリーダーの経験 【フィットする人物像】 応募資格をご覧下さい 【職種名】 電動車向けSiCパワー半導体素子のデバイス開発（年収550万円～1430万円） 【仕事内容】 国内最大、世界でも有数の自動車用システムサプライヤーであるデンソー。数多くの世界トップシェア製品を有すグローバル企業です

仕事内容【お仕事について】 ・お仕事内容 【業務内容】 パワーモジュールなどに搭載されるパワーチップの設計業務全般 (1) パワーチップの新製品開発業務（レイアウト設計から試作・検証を行い、量産化を行う） (2) 量産化したパワーチップの生産性改善を継続的に取り組む業務 【従事すべき業務の変更の範囲】 会社の定める範囲 【就業場所変更の範囲】 会社の定める事業所 【事業内容】 ・エンジニアリング事業 三菱電機半導体・デバイス事業の中核的エンジニアリング会社として、開発・設計から量産にいたるまでの総合技術力で「パワーデバイス」「高周波・光デバイス」を支えています。 三菱電機半導体・デバイス事業

仕事内容【仕事内容】 パワーデバイスは電力の変換・制御を行う製品です。 具体的には、下記のいずれかの工程でのお仕事となります。 ・精密部分の製造オペレーター →ベース板にチップを自動で半田付けするするために、機械にセットしてボタン押します。 ・検査及びテスト →製品が正常に作動するか等の検査をして頂きます。 扱う部品は手のひらサイズのものが中心です。 どの工程も丁寧に指導しますので、未経験からでも作業を習熟することができます。 入社してから最初の2週間は研修があり、工程に配属後も先輩が横について丁寧に教えますので、 わからないことがあればお気軽にご質問ください。 人気のお仕事のため募集枠に限

仕事内容【仕事内容】 MOSFETやIGBT等のSiパワー半導体デバイスのユニットプロセス（成膜プロセス、リソグラフィ、ドライエッチング/ウェットエッチング、イオン注入など）の開発をお任せします。 【具体的には】 ・パワーデバイスのプロセス開発 ・パワーデバイスの装置開発 ※各工程毎にチーム編成してそれぞれのプロセスで専門家集団を形成して業務を進めています。 ※各チームでリーダーシップを発揮して開発を牽引していただける人財を求めており、お任せする工程はこれまでのご経験をお伺いしたうえでご相談いたします。 【給与詳細】 【年収】 450～1000万円 基本給：210,000円～550,000円

仕事内容株式会社豊田中央研究所 【愛知県長久手市】先端パワーデバイスに関する研究 ◆トヨタグループ／WEB面接可／年間休日121日 【仕事内容】 【愛知県長久手市】先端パワーデバイスに関する研究 ◆トヨタグループ／WEB面接可／年間休日121日 【具体的な仕事内容】 ～トヨタグループの最先端技術研究所で働ける希少ポジション／数々の受賞歴あり／フレックス制・年間休日121日～ ■募集概要： トヨタグループの中央研究所の役割を担う当社にて、先端パワーデバイスに関する研究をお任せします。 ■業務内容：持続可能なモビリティ社会の実現に繋がるワイドバンドギャップ/ウルトラワイドバンドギャップ半導体など

仕事内容【仕事内容】 ディスクリート半導体（パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー）に関する開発業務に携わっていただきます。 【具体的には】 ・デバイス設計・シミュレーション(TCAD) ・試作・性能評価・解析 ・量産立上業務 【加賀分室の対象デバイス】 ・IGBT、ダイオード、パワーモジュール ・パワーMOSFET 【給与詳細】 【年収】 450～1000万円 基本給：210,000円～550,000円 賞与：年2回（7月、12月） ※エキスパート級での採用（年収1,000万円）については管理監督者にあたるため、住宅手当、次世代育