パワー半導体のユニットプロセス開発エンジニア/能美市岩内町/月給210000~550000円
東芝デバイス&ストレージ株式会社
石川県 能美市 岩内町
月給21万円〜55万円
正社員

- 若手活躍中
- 社会保険完備
- 賞与・ボーナスあり
- 年間休日120日以上
- 週休2日制
- 長期休暇あり
- 年間休日100日以上
- 年間休日110日以上
- 特別休暇
- 1日4時間以内OK
- 残業月20時間以内
- 17時までに退社可
- 18時までに退社可
- U・IターンOK
- 在宅ワーク
- 退職金制度あり
- 交通費支給
- 雇用保険完備
- 厚生年金加入
- 住宅手当あり
- 寮完備
- 1日6時間以内OK
仕事内容【仕事内容】 MOSFETやIGBT等のSiパワー半導体デバイスのユニットプロセス(成膜プロセス、リソグラフィ、ドライエッチング/ウェットエッチング、イオン注入など)の開発をお任せします。 【具体的には】 ・パワーデバイスのプロセス開発 ・パワーデバイスの装置開発 ※各工程毎にチーム編成してそれぞれのプロセスで専門家集団を形成して業務を進めています。 ※各チームでリーダーシップを発揮して開発を牽引していただける人財を求めており、お任せする工程はこれまでのご経験をお伺いしたうえでご相談いたします。 【給与詳細】 【年収】 450~1000万円 基本給:210,000円~550,000円